Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Сбросить фильтр 15 из 54519
Артикул Название Производитель Характеристики Цена
Траншейный MOSFET, низкий сопротивление в открытом состоянии и затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель C52140558 Траншейный MOSFET, низкий сопротивление в открытом состоянии и затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель XBLW DFN-8L(3x3), 30V 35A 2.5V 37.5W 7.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8… от 0.095400 ₽
0
Траншейный MOSFET, низкий сопротивление в открытом состоянии и затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель применения C52140579 Траншейный MOSFET, низкий сопротивление в открытом состоянии и затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель применения XBLW DFN-8L(5x6), 40V 55A 1.8V 6.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6)… от 0.102400 ₽
0
Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель C52140565 Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель XBLW DFN-8L(3x3), 30V 45A 2.5V 59W 6mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x… от 0.068700 ₽
0
Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель C52140575 Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель XBLW DFN-8L(5x6), 30V 90A 2.5V 187W 2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5… от 0.173700 ₽
0
Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель C52140564 Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель XBLW DFN-8L(3x3), 30V 50A 2.5V 37W 9mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x… от 0.130400 ₽
0
Траншейный MOSFET, отличный сопротивление в открытом состоянии, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель C52140557 Траншейный MOSFET, отличный сопротивление в открытом состоянии, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель XBLW DFN-8L(3x3), 30V 35A 2.5V 37.5W 7.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8… от 0.110600 ₽
0
Траншейный MOSFET, отличный сопротивление в открытом состоянии, низкий затвор заряд, для сильноточный нагрузка применения C52140560 Траншейный MOSFET, отличный сопротивление в открытом состоянии, низкий затвор заряд, для сильноточный нагрузка применения XBLW DFN-8L(3x3), 30V 35A 1.6V 15W 12mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3… от 0.144200 ₽
0
Траншейный MOSFET, отличный сопротивление в открытом состоянии, низкий затвор заряд, для сильноточный нагрузка применения C52140555 Траншейный MOSFET, отличный сопротивление в открытом состоянии, низкий затвор заряд, для сильноточный нагрузка применения XBLW DFN-8L(3x3), 30V 32A 1.95V 3.57W 10mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8… от 0.081300 ₽
0
Траншейный P-MOSFET-100V, 59mΩ, -26A C841381 Траншейный P-MOSFET-100V, 59mΩ, -26A CRMICRO TO-252, 102W 100V 26A 2V 59mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252 о… от 0.239800 ₽
0
Траншейный technology, низкий затвор заряд, 4.5V работоспособный, для батарея защита и прочее импульсный сценарии применения C52140556 Траншейный technology, низкий затвор заряд, 4.5V работоспособный, для батарея защита и прочее импульсный сценарии применения XBLW DFN-8L(3x3), 60V 40A 1.6V 30W 12mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3… от 0.104200 ₽
0
Фото C3282250 Четверной и шестигранный мощность DMOS сборка, ток:1.5A, напряжение:20V TI 20V 1.5A 2.2V 2.86W 500mΩ@10V N-канальный одиночные полевые … от 0.462900 ₽
0
Фото C3276503 Четверной и шестигранный мощность MOSFET сборка TI 20V 1.5A 2.2V 2.86W 480mΩ@10V N-канальный одиночные полевые … от 0.592600 ₽
0
Фото C3275980 Четверной и шестигранный мощность MOSFET сборка, ток:3A, напряжение:20V TI 20V 3A 2.1V 2.86W 120mΩ@10V N-канальный одиночные полевые тр… от 0.935100 ₽
0
Фото C3282139 Шесть-выход N-канальный DMOS сборка, ток:1A, напряжение:60V TI 60V 1A 2.2V 1.389W 480mΩ@5V N-канальный одиночные полевые тр… от 0.757600 ₽
0
Фото C3276672 Широкополосный RF мощность GaN HEMT, ток:10W, напряжение:150V Rochester Electronics 150V 2V одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) от 30.800900 ₽
0