Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Сбросить фильтр 24 из 54519
Артикул Название Производитель Характеристики Цена
Мощность MosFET 60 V 46 A 16 mΩ один N-канальный C889915 Мощность MosFET 60 V 46 A 16 mΩ один N-канальный onsemi TO-252(DPAK), 60V 46A 2V 71W 13mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252(DPA… от 0.498200 ₽
0
Мощность один N-канальный MOSFET C604501 Мощность один N-канальный MOSFET onsemi WDFN-8(3.3x3.3), 21.5W 30V 38A 2.1V 1 N-канальный N-канальный WDFN-8(3.3x3.3)… от 0.272600 ₽
0
Мощность-транзистор C536741 Мощность-транзистор Infineon TO-252, 36W 60V 30A 1.7V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные … от 0.270500 ₽
0
Мощность-транзистор C536716 Мощность-транзистор Infineon TO-252, 115W 60V 90A 1.7V 3.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252… от 0.862100 ₽
0
Мощность, один, P-канальный MOSFET с Шоттки диод C730375 Мощность, один, P-канальный MOSFET с Шоттки диод onsemi SOIC-8, 1.6W 30V 4A 3V 95mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOIC-8 оди… от 1.208000 ₽
0
Нижний-боковой С охлаждением 100V E-режим GaN транзистор C35263386 Нижний-боковой С охлаждением 100V E-режим GaN транзистор Infineon SMD-4P,7.6x4.6mm, 100V 90A 1.7V 7mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-4P,7.6x4.6mm… от 11.305000 ₽
0
Нижний-боковой С охлаждением 100V E-режим GaN транзистор C33302204 Нижний-боковой С охлаждением 100V E-режим GaN транзистор Infineon SMD-4P,7.6x4.6mm, 100V 90A 1.7V 7mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-4P,7.6x4.6mm… от 9.798400 ₽
0
Низкая ёмкость диодная сборка C5123934 Низкая ёмкость диодная сборка TECH PUBLIC SOT-23-6, 85V однонаправленный 70V телевизоры SOT-23-6 одиночные полев… от 0.138600 ₽
0
Низкий боковой GaN и MOSFET драйвер C5875701 Низкий боковой GaN и MOSFET драйвер Wuxi Maxinmicro CSP-6, Низкий боковой 1 MOSFET 7A 1.2ns 1.1ns 4.5V~5.25V 5A CSP-6 о… от 0.103400 ₽
0
Низкий боковой GaN и MOSFET драйвер C5341121 Низкий боковой GaN и MOSFET драйвер Wuxi Maxinmicro DFN-6L(2x2), Низкий боковой 1 MOSFET 7A 950ps 1.15ns 4.75V~5.25V 5A DFN-6… от 0.080500 ₽
0
Обогащение режим MOSFET, ток: -8.5A, напряжение: -12V C3001678 Обогащение режим MOSFET, ток: -8.5A, напряжение: -12V DIODES SO-8, 12V 8.5A 1V 1.6W 40mΩ@1.8V 1 P-канальный P-канальный SO-8 од… от 0.426400 ₽
0
Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток: 47A, напряжение: 550V C2762899 Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток: 47A, напряжение: 550V ORIENTAL SEMI TO-247-3, 278W 600V 47A 4.5V 74mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-247… от 2.768400 ₽
0
Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток: 8A, напряжение: 600V C2762903 Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток: 8A, напряжение: 600V ORIENTAL SEMI TO-220F-3, 26W 600V 8A 3.9V 580mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F… от 0.449500 ₽
0
Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:100A, напряжение:80V C2762909 Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:100A, напряжение:80V ORIENTAL SEMI TO-252-2, 148W 80V 100A 2.5V 6.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-25… от 0.391700 ₽
0
Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:100A, напряжение:80V C2762910 Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:100A, напряжение:80V ORIENTAL SEMI TO-220, 148W 80V 100A 4V 6.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 … от 0.575200 ₽
0
Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:60A, напряжение:100V C2762911 Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:60A, напряжение:100V ORIENTAL SEMI TO-220, 107W 100V 60A 2.5V 10mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220… от 0.467900 ₽
0
Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:70A, напряжение:60V C2762915 Обогащение режим N-канальный мощность MOSFET, ток:70A, напряжение:60V ORIENTAL SEMI TO-220, 87W 60V 70A 2.5V 9mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 од… от 0.355800 ₽
0
Обогащение режим мощность транзистор C5355680 Обогащение режим мощность транзистор EPC BGA-4, 120V 1.7A 1.4V 62mΩ 1 N-канальный N-канальный BGA-4 одиночны… от 0.404100 ₽
0
Обогащение режим мощность транзистор C2960946 Обогащение режим мощность транзистор EPC BGA-6(1.3x0.85), 100V 1.7A 1.4V 20mΩ 1 N-канальный N-канальный BGA-6(1.3x0.85… от 0.740800 ₽
0
Фото C5362207 Обогащение режим мощность транзистор EPC BGA-4, 120V 1.7A 1.5V 400mΩ 1 N-канальный N-канальный BGA-4 одиночн… от 2.833500 ₽
0
Обогащение режим мощность транзистор C3277831 Обогащение режим мощность транзистор EPC SMD-6P,2.1x0.9mm, 100V 4A 1.4V 120mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-6P,2.1x0.9m… от 2.274700 ₽
0
Обогащение режим мощность транзистор C3288334 Обогащение режим мощность транзистор EPC SMD-24P,4.6x2.6mm, 200V 48A 1.1V 6mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-24P,4.6x2.6m… от 11.739300 ₽
0
Фото C6549212 Обогащение режим мощность транзистор EPC SMD-24P,4.6x2.6mm, 60V 48A 1.4V 2mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-24P,4.6x2.6mm… от 10.153500 ₽
0
Фото C6041256 Обогащение режим мощность транзистор EPC SMD-8P,3.5x2mm, 100V 60A 1.3V 2.4mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-8P,3.5x2mm… от 3.841500 ₽
0