Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Сбросить фильтр 24 из 54519
Артикул Название Производитель Характеристики Цена
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C49241785 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-3PF, 1.5kV 3.7A 4V 35W 1.5Ω 1 N-канальный N-канальный TO-3PF один… от 3.711600 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972196 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 1.2kV 32A 3.6V 136W 90mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L… от 10.112200 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972193 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 650V 49A 4V 242W 49mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 одино… от 7.307000 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972191 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-263-7L, 1.7kV 6.7A 4.5V 86W 910mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7… от 3.125300 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972090 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 1.2kV 36A 4V 192W 98mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 один… от 6.520900 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972082 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 650V 37A 3.6V 150W 79mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L … от 2.553700 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972081 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 1.2kV 32A 3.6V 136W 90mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L… от 5.537100 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972063 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 650V 49A 4V 242W 49mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 одино… от 5.297500 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C49241786 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-3PF, 1.5kV 3.7A 4V 35W 1.5Ω 1 N-канальный N-канальный TO-3PF один… от 0.883400 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972200 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 1.2kV 36A 4V 192W 98mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 один… от 8.397300 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972093 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 1.2kV 36A 4V 192W 98mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 один… от 5.937900 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972064 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 650V 49A 242W монтаж в отверстия TO-247 от 4.882100 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C42389134 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 650V 49A 4V 242W 49mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L од… от 4.847300 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C42389117 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 650V 37A 3.6V 150W 79mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L … от 5.024000 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C42389107 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 650V 49A 4V 242W 49mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 одино… от 5.242000 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972080 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 1.2kV 32A 3.6V 136W 90mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L… от 2.735800 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C42389133 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-3, 650V 49A 4V 242W 49mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 оди… от 5.242600 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972079 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 650V 120A 416W монтаж в отверстия TO-247 от 8.852000 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C45896858 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-263-7L, 1.2kV 30A 136W поверхностный монтаж TO-263-7L от 3.998700 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C48972091 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247, 1.2kV 36A 4V 192W 98mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 один… от 7.937800 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C49241787 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-3PF, 1.5kV 3.7A 4V 35W 1.5Ω 1 N-канальный N-канальный TO-3PF один… от 0.522800 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C45896859 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 650V 53A монтаж в отверстия TO-247-4L от 3.509700 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C42389100 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-247-4L, 1.2kV 63A 3.6V 283W 43mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L… от 7.654900 ₽
0
SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим C49241792 SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим HXY MOSFET TO-3PF, 1.5kV 3.7A 35W монтаж в отверстия TO-3PF от 0.529400 ₽
0