Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Сбросить фильтр 24 из 54519
Артикул Название Производитель Характеристики Цена
-30V двойной P-канальный MOSFET C49012426 -30V двойной P-канальный MOSFET JSMSEMI SOT-23-6, 30V 5A 350mW 2 P-канальный SOT-23-6 одиночные полевые транзи… от 0.081000 ₽
0
1 N-канальный + 1 P-канальный номинальное напряжение: 60V ток: 3.6A ток: 2.6A C5245473 1 N-канальный + 1 P-канальный номинальное напряжение: 60V ток: 3.6A ток: 2.6A DIODES SO-8, 60V 1V 1.25W 55mΩ@10V 1 N-канальный + 1 P-канальный SO-8 оди… от 0.981300 ₽
0
1 N-канальный, номинальное напряжение: 30V, ток: 4A C5245314 1 N-канальный, номинальное напряжение: 30V, ток: 4A DIODES SOT-323, 30V 4A 1.5V 770mW 52mΩ 1 N-канальный SOT-323 одиночные полев… от 0.166700 ₽
0
Фото C3276824 1 А, 30 вольты, N-канальный MOSFET onsemi 30V 2.8A 3.7V 1.25W 160mΩ@4.5V N-канальный одиночные полевые… от 0.089100 ₽
0
Фото C3281722 1000V, 38A, 0.260Ω обогащение режим MOSFET MICROCHIP TO-264-3(TO-264AA), 1kV 38A 5V 893W 260mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-264-3… от 31.479800 ₽
0
100V 3.5mQ N-канальный мощность MOSFET C19268953 100V 3.5mQ N-канальный мощность MOSFET Jiangsu JieJie Microelectronics TO-220-3L, 100V 139A 2.7V 156W 3.5mΩ@10V 1 N-канальный TO-220-3L одиноч… от 0.327400 ₽
0
100V 3.5mQ N-канальный мощность MOSFET C7527400 100V 3.5mQ N-канальный мощность MOSFET Jiangsu JieJie Microelectronics TO-220, 100V 139A 2.7V 156W 3.5mΩ@10V 1 N-канальный TO-220 одиночные… от 0.408600 ₽
0
100V 420A 2.6mΩ N-канальный обогащение режим мощность MOSFET C5773306 100V 420A 2.6mΩ N-канальный обогащение режим мощность MOSFET Littelfuse/IXYS TO-247-3, 100V 420A 5V 1.67kW 2.6mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-2… от 15.907500 ₽
0
100V N-канальный MOSFET C7541417 100V N-канальный MOSFET Wild Goose TO-252, 100V 15A 1.8V 30W 95mΩ@10V 1 N-канальный TO-252 одиночные по… от 0.049700 ₽
0
100V N-канальный MOSFET, 50A, 100V C271448 100V N-канальный MOSFET, 50A, 100V HL(Haolin Elec) TO-263, 110W 100V 50A 4V 38mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 о… от 0.154700 ₽
0
100V N-канальный MOSFET, напряжение пробоя:100V C2972856 100V N-канальный MOSFET, напряжение пробоя:100V ASDsemi PDFN-8(5x6), 73W 100V 118A 1.8V 4.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-… от 0.321900 ₽
0
100V N-канальный MOSFET, ток:110A, напряжение пробоя:100V C2862209 100V N-канальный MOSFET, ток:110A, напряжение пробоя:100V TI TO-220AB-3, 214W 100V 110A 3.3V 6.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-2… от 1.983000 ₽
0
Фото C2972872 100V N-канальный MOSFET, ток:68A, напряжение:100V ASDsemi PDFN-8(5x6), 108W 100V 68A 2.3V 8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(… от 0.297800 ₽
0
100V N-канальный мощность MOSFET C49108785 100V N-канальный мощность MOSFET Minos TO-220, 100V 120A 4V 173.6W 4.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-2… от 0.235100 ₽
0
100V N-канальный обогащение режим MOSFET C5444217 100V N-канальный обогащение режим MOSFET YFW TO-220F, 100V 80A 2.5V 96W 5.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220… от 0.301600 ₽
0
100V N-канальный обогащение режим MOSFET C6069574 100V N-канальный обогащение режим MOSFET YFW SOT-23, 100V 2.8A 1.5V 1W 260mΩ@10V 1 N-канальный SOT-23 одиночные п… от 0.031400 ₽
0
Фото C3281214 100V N-канальный, ток:58A, напряжение:100V AOS TO-251B, 100V 58A 2.6V 19.5mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-251B … от 0.223800 ₽
0
100V P-канальный мощность MOSFET C49108782 100V P-канальный мощность MOSFET Minos TO-252, 100V 20A 1.7V 72W 70mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252 … от 0.112000 ₽
0
100V P-канальный мощность MOSFET C49108795 100V P-канальный мощность MOSFET Minos TO-252, 100V 15A 1.7V 72W 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные… от 0.104600 ₽
0
100V P-канальный обогащение режим MOSFET C5122068 100V P-канальный обогащение режим MOSFET TECH PUBLIC SOT-23, 1.25W 100V 1A 2V 500mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 … от 0.088200 ₽
0
100V комплементарный пара обогащение режим MOSFET C5374778 100V комплементарный пара обогащение режим MOSFET DIODES SO-8, 100V 170mΩ@10V 1 N-канальный + 1 P-канальный N-канальный + P… от 0.468300 ₽
0
100V обогащение режим GaN транзистор C31270677 100V обогащение режим GaN транзистор Infineon SMD-3P,4.6x4.4mm, 100V 38A 1.7V 16mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-3P,4.6x4.4m… от 3.687400 ₽
0
Фото C3281635 100V, 250A, N-канальный MOSFET RENESAS TO-263-6, 100V 250A 3.8V 348W 2.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-2… от 10.384600 ₽
0
100V, 3.2mOhm галлий нитрид (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer уровень В корпусе размером с кристалл корпус C20235672 100V, 3.2mOhm галлий нитрид (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer уровень В корпусе размером с кристалл корпус Nexperia WLCSP-8(3.5x2.1), 100V 60A 1.1V 394W 2.4mΩ 1 N-канальный N-канальный WLCSP-8(3… от 2.832500 ₽
0