Одиночные IGBT-транзисторы

Сбросить фильтр 24 из 2986
Артикул Название Производитель Характеристики Цена
Модули IGBT, 1200V, 100A, траншейный+ограничение поля technology C781180 Модули IGBT, 1200V, 100A, траншейный+ограничение поля technology YANGJIE Screw Terminals, 680W 150A 1.2kV FS (ограничение поля) винтовые клеммы одиноч… от 36.066700 ₽
0
Модули IGBT, 1200V, 150A C781188 Модули IGBT, 1200V, 150A YANGJIE Screw Terminals, 880W 210A 1.2kV винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы R… от 48.900300 ₽
0
Модули IGBT, 1200V, 200A C781190 Модули IGBT, 1200V, 200A YANGJIE Screw Terminals, 1.36kW 200A 1.2kV винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы… от 61.689800 ₽
0
Мощность модуль (V серия) 1200V/150A C38665770 Мощность модуль (V серия) 1200V/150A Fuji Electric Screw Terminals, 785W 150A 1.2kV винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы R… от 40.047600 ₽
0
Фото C42387494 Мощность модуль (V серия) 1200V/15A/PIM Fuji Electric Through Hole,62.8x33.8mm, 135W 15A 1.2kV IGBT модуль монтаж в отверстия,62.8x33.8mm од… от 24.013700 ₽
0
Фото C42387487 Мощность модуль (V серия) 1200V/35A/PIM Fuji Electric Through Hole,62.8x56.7mm, 215W 35A 1.2kV монтаж в отверстия,62.8x56.7mm одиночные IGBT… от 32.629300 ₽
0
Фото C39211066 Мощность модуль (V серия) 1200V/75A Fuji Electric Screw Terminals, 390W 75A 1.2kV IGBT модуль винтовые клеммы одиночные IGBT-тр… от 25.517900 ₽
0
Фото C42387488 Мощность модуль (V серия) 1700V/150A Fuji Electric Screw Terminals, 1.11kW 150A 1.7kV IGBT модуль винтовые клеммы одиночные IGBT… от 115.013600 ₽
0
Фото C42387496 Мощность модуль (V серия) 1700V/200A Fuji Electric Screw Terminals, 1.25kW 200A 1.7kV IGBT модуль винтовые клеммы одиночные IGBT… от 69.645300 ₽
0
Фото C42387492 Мощность модуль (V серия) 1700V/300A Fuji Electric Screw Terminals, 1.805kW 300A 1.7kV IGBT модуль винтовые клеммы одиночные IGB… от 84.047700 ₽
0
Фото C36449916 Мощность модуль (V серия) 600V/200A Fuji Electric Screw Terminals, 650W 200A 600V IGBT модуль винтовые клеммы одиночные IGBT-тр… от 55.263900 ₽
0
Фото C42387493 Мощность модуль (X серия) 1200V/100A/PIM Fuji Electric Through Hole,122x62mm, 445W 100A 1.2kV IGBT модуль монтаж в отверстия,122x62mm один… от 77.947700 ₽
0
Фото C18211912 Мощность модуль (X серия) 1200V/600A Fuji Electric Screw Terminals, 2.34kW 600A 1.2kV винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы… от 203.440300 ₽
0
Фото C42387485 Мощность модуль (X серия) 1200V/75A/PIM Fuji Electric Through Hole,107.5x45mm, 455W 75A 1.2kV IGBT модуль монтаж в отверстия,107.5x45mm оди… от 59.934100 ₽
0
Фото C42387483 Мощность модуль (X серия) 1200V/800A Fuji Electric Screw Terminals, 4.05kW 800A 1.2kV винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы… от 225.159900 ₽
0
Низкий VcE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology В общем корпусе с RAPID 1 быстрый и мягкий встречно-параллельный диод C454251 Низкий VcE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology В общем корпусе с RAPID 1 быстрый и мягкий встречно-параллельный диод Infineon TO-247-3, 536W 80A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS от 3.438300 ₽
0
Низкий VcE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology, 650V IGBT низкий VcE(sat) серия пятый поколение C536097 Низкий VcE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology, 650V IGBT низкий VcE(sat) серия пятый поколение Infineon TO-247-3, 227W 85A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS от 3.106600 ₽
0
Низкий затвор заряд, высокий вход импеданс, короткое замыкание выдерживаемый время 10 μs C37635843 Низкий затвор заряд, высокий вход импеданс, короткое замыкание выдерживаемый время 10 μs MASPOWER TO-264, 625W 140A 1.7kV TO-264 одиночные IGBT-транзисторы RoHS от 78.120100 ₽
0
Низкий затвор заряд, траншейный FS Technology, TO-220 C41417593 Низкий затвор заряд, траншейный FS Technology, TO-220 MASPOWER TO-220, 156W 60A 650V FS (ограничение поля) TO-220 одиночные IGBT-тр… от 1.082000 ₽
0
Низкий затвор заряд, траншейный-останов Technology, высокоскоростной импульсный IGBT C19724681 Низкий затвор заряд, траншейный-останов Technology, высокоскоростной импульсный IGBT MASPOWER TO-247, 625W 120A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS от 1.457400 ₽
0
Низкий потери Duopack: IGBT 7 с траншейный и С ограничением электрического поля technology C5359097 Низкий потери Duopack: IGBT 7 с траншейный и С ограничением электрического поля technology Infineon TO-247-3, 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисто… от 2.284500 ₽
0
Низкий потери DuoPack: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный С управлением эмиттером HE диод C536190 Низкий потери DuoPack: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный С управлением эмиттером HE диод Infineon TO-220-3, 110W 24A 600V FS (ограничение поля) TO-220-3 одиночные IGBT-… от 1.691300 ₽
0
Низкий потери DuoPack: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный С управлением эмиттером HE диод C467845 Низкий потери DuoPack: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный С управлением эмиттером HE диод Infineon TO-220-3, 130W 26A 600V FS (ограничение поля) TO-220-3 одиночные IGBT-… от 1.022800 ₽
0
Низкий потери DuoPack: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный С управлением эмиттером HE диод C3191643 Низкий потери DuoPack: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный С управлением эмиттером HE диод Infineon TO-220-3-31, 30W 11.7A 600V FS (ограничение поля) TO-220-3-31 одиночные I… от 2.974700 ₽
0