Транзистор предварительное смещение 50V SOT-23

Транзистор предварительное смещение 50V SOT-23

Артикул: C97123 Part Number: MMUN2111LT1G Производитель: onsemi
от 0.016000 ₽ В наличии: 33280 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
20 шт. 0.035000 ₽
200 шт. 0.026900 ₽
600 шт. 0.022400 ₽
3000 шт. 0.019700 ₽
9000 шт. 0.017300 ₽
21000 шт. 0.016000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Количество 1 PNP Pre-Biased
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 246mW
Коэффициент усиления по постоянному току 35
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2.5V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 1.2V
Выходное напряжение (VO(on)) 200mV
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 246mW поверхностный монтаж SOT-23