Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363

Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363

Артикул: C968428 Part Number: UMH11N Производитель: YANGJIE
от 0.020300 ₽ В наличии: 3550 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.040200 ₽
100 шт. 0.032000 ₽
300 шт. 0.027800 ₽
3000 шт. 0.024000 ₽
6000 шт. 0.021500 ₽
9000 шт. 0.020300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 2 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Коэффициент усиления по постоянному току 30
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV
Входной резистор 13kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-363