1200V SiC N-канальный MOSFET
Артикул: C967734
Part Number: CI30N120SM
Производитель: Tokmas
от 1.679800 ₽
В наличии: 551 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.428500 ₽ |
| 10 шт. | 2.959300 ₽ |
| 30 шт. | 2.175200 ₽ |
| 90 шт. | 1.875000 ₽ |
| 510 шт. | 1.738900 ₽ |
| 1020 шт. | 1.679800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 31A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 98mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 102nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.98nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 91pF |
Описание
1.2kV 31A 4V 200W 98mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS