onsemi NXH100B120H3Q0PTG
Артикул: C906585
Part Number: NXH100B120H3Q0PTG
Производитель: onsemi
от 31.923200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 87.063500 ₽ |
| 200 шт. | 33.693300 ₽ |
| 500 шт. | 32.508400 ₽ |
| 1000 шт. | 31.923200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 186W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 61A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.77V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.27V |
| Заряд затвора (Qg) | 409nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 9.075nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 173pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 147pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 44ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 203ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 700uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 15ns |
Описание
186W 61A 1.2kV IGBT модуль PIM-22(32.5x55) модули IGBT RoHS