onsemi NXH50C120L2C2ES1G
Артикул: C906532
Part Number: NXH50C120L2C2ES1G
Производитель: onsemi
от 31.688600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 86.420300 ₽ |
| 200 шт. | 33.443700 ₽ |
| 500 шт. | 32.268900 ₽ |
| 1000 шт. | 31.688600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 558nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.897nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 416pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 240pF |
| Время задержки включения Td(on) | 144ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 380ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.87mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.7mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
50A 1.2kV DIP-26 одиночные IGBT-транзисторы RoHS