onsemi NGTD30T120F2WP
Артикул: C906363
Part Number: NGTD30T120F2WP
Производитель: onsemi
от 2.532900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.905500 ₽ |
| 200 шт. | 2.673300 ₽ |
| 500 шт. | 2.579200 ₽ |
| 1000 шт. | 2.532900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | - |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.385nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 140pF |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.2kV FS (ограничение поля) поверхностный монтаж (SMD) одиночные IGBT-транзисторы