IGBT 650V 75A FS2 оголённый кристалл
Артикул: C906361
Part Number: NGTD28T65F2WP
Производитель: onsemi
от 1.149500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.132900 ₽ |
| 200 шт. | 1.212900 ₽ |
| 500 шт. | 1.170100 ₽ |
| 1000 шт. | 1.149500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | - |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 190pF |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
650V FS (ограничение поля) поверхностный монтаж (SMD) одиночные IGBT-транзисторы RoHS