onsemi NGTD17T65F2WP
Артикул: C906353
Part Number: NGTD17T65F2WP
Производитель: onsemi
от 0.815000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.221300 ₽ |
| 200 шт. | 0.861000 ₽ |
| 500 шт. | 0.830800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.815000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | - |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.06nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 179pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 115pF |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
650V FS (ограничение поля) поверхностный монтаж (SMD) одиночные IGBT-транзисторы RoHS