onsemi NGTD13T65F2WP
Артикул: C906345
Part Number: NGTD13T65F2WP
Производитель: onsemi
от 0.483600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.316000 ₽ |
| 200 шт. | 0.509000 ₽ |
| 500 шт. | 0.491500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.483600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
Описание
650V FS (ограничение поля) поверхностный монтаж (SMD) одиночные IGBT-транзисторы RoHS