onsemi NJVMJD350T4G

onsemi NJVMJD350T4G

Артикул: C904730 Part Number: NJVMJD350T4G Производитель: onsemi
от 0.122100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.332900 ₽
200 шт. 0.128900 ₽
500 шт. 0.124400 ₽
1000 шт. 0.122100 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество -
Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 300V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.56W
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рабочая температура -65℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 30
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 3V
Конфигурация -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 10MHz

Описание

300V 30 500mA PNP DPAK одиночные биполярные транзисторы RoHS