NPN дарлингтона мощность транзистор
Артикул: C904717
Part Number: NJD35N04T4G
Производитель: onsemi
от 1.277000 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.941500 ₽ |
| 10 шт. | 1.683200 ₽ |
| 30 шт. | 1.541800 ₽ |
| 100 шт. | 1.381000 ₽ |
| 500 шт. | 1.309500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.277000 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 350V |
| Ток коллектора (Ic) | 4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 45W |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Ток отсечки коллектора | 50uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 2V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 90MHz |
Описание
350V 2000 4A NPN DPAK одиночные биполярные транзисторы RoHS