onsemi NE5517DR2G
Артикул: C904712
Part Number: NE5517DR2G
Производитель: onsemi
от 1.516000 ₽
В наличии: 75 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.602500 ₽ |
| 10 шт. | 1.564900 ₽ |
| 30 шт. | 1.540500 ₽ |
| 100 шт. | 1.516000 ₽ |
Характеристики
| Количество каналов | Dual |
| Особенности | - |
| Тип усилителя | Transconductance Amplifier |
| Входной ток смещения Ib | 0.4uA |
| Двухполярное питание | ±22V |
| Входное напряжение смещения Vos | 0.4mV |
| Дрейф входного напряжения смещения (Vos TC) | 7uV/℃ |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Разность входных токов (Ios) | 0.1uA |
Описание
Двойной 0.4mV крутизна усилитель 0.4uA SOIC-16 измерительные, операционные и буферные усилители RoHS