onsemi MJD6039T4G

onsemi MJD6039T4G

Артикул: C904239 Part Number: MJD6039T4G Производитель: onsemi
от 0.898500 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.937500 ₽
10 шт. 0.919600 ₽
30 шт. 0.908200 ₽
100 шт. 0.898500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.75W
Ток коллектора (Ic) 4A
Рабочая температура -65℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 1000;500
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.5V@2A,8mA
Ток отсечки коллектора 10uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

80V 4A NPN DPAK одиночные биполярные транзисторы RoHS