Дарлингтона мощность транзистор для поверхностный монтаж применения

Дарлингтона мощность транзистор для поверхностный монтаж применения

Артикул: C904237 Part Number: MJD44E3T4G Производитель: onsemi
от 0.817800 ₽ В наличии: 120 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.293100 ₽
10 шт. 1.098100 ₽
30 шт. 1.001400 ₽
100 шт. 0.906300 ₽
500 шт. 0.847300 ₽
1000 шт. 0.817800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.75W
Ток коллектора (Ic) 10A
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V
Ток отсечки коллектора 10uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 7V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 2.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

80V 1000 10A NPN DPAK одиночные биполярные транзисторы RoHS