IGBT, 430V, 10A, 1.95V, 200mJ

IGBT, 430V, 10A, 1.95V, 200mJ

Артикул: C903782 Part Number: ISL9V2040D3STV Производитель: onsemi
от 0.372600 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.014700 ₽
200 шт. 0.393200 ₽
500 шт. 0.379000 ₽
1000 шт. 0.372600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 130W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 430V
Ток коллектора (Ic) 10A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.45V
Заряд затвора (Qg) 12nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 1.3V;2.2V
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 610ns
Время задержки выключения Td(off) -
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) -
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

130W 10A 430V TO-252AA одиночные IGBT-транзисторы RoHS