IGBT, 250V, 25A, 1.35V, 330mJ,N-канальный зажигание
Артикул: C903660
Part Number: FGD3325G2-F085V
Производитель: onsemi
от 0.373600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.015500 ₽ |
| 200 шт. | 0.393000 ₽ |
| 500 шт. | 0.380000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.373600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 250V |
| Ток коллектора (Ic) | 41A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.15V;1.35V;1.68V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 800ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 5.1us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
150W 41A 250V TO-252AA одиночные IGBT-транзисторы RoHS