NPN дарлингтона транзистор

NPN дарлингтона транзистор

Артикул: C903171 Part Number: MPSA29-D26Z Производитель: onsemi
от 0.260200 ₽ В наличии: 110 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.269600 ₽
50 шт. 0.265600 ₽
150 шт. 0.262900 ₽
500 шт. 0.260200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 800mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 625mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 500nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 12V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

100V 10000 800mA NPN TO-92-3L одиночные биполярные транзисторы RoHS