onsemi J111-D26Z
Артикул: C900942
Part Number: J111-D26Z
Производитель: onsemi
от 0.130500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.244200 ₽ |
| 50 шт. | 0.195700 ₽ |
| 150 шт. | 0.174900 ₽ |
| 500 шт. | 0.148900 ₽ |
| 2000 шт. | 0.137400 ₽ |
| 4000 шт. | 0.130500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 3V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 35V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30Ω |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 20mA |
| Входная ёмкость Ciss | - |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | - |
Описание
625mW 20mA 1 N-канальный 30Ω 35V TO-92-3 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS