onsemi NTMFD6H852NLT1G
Артикул: C900258
Part Number: NTMFD6H852NLT1G
Производитель: onsemi
от 0.624700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.102900 ₽ |
| 10 шт. | 0.916300 ₽ |
| 30 шт. | 0.814500 ₽ |
| 100 шт. | 0.698800 ₽ |
| 500 шт. | 0.647900 ₽ |
| 1500 шт. | 0.624700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 25A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 21mΩ@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 38W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 5nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 521pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
Описание
80V 25A 21mΩ@10V 38W 2V 2 N-канальный DFN-8(4.9x5.9) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS