NPN эпитаксиальный кремний дарлингтона транзистор

NPN эпитаксиальный кремний дарлингтона транзистор

Артикул: C900051 Part Number: TIP142TTU Производитель: onsemi
от 3.731800 ₽ В наличии: 4 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.218300 ₽
10 шт. 4.646500 ₽
30 шт. 4.305300 ₽
100 шт. 3.962500 ₽
500 шт. 3.803300 ₽
1000 шт. 3.731800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 80W
Ток коллектора (Ic) 10A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000;500
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3V@10A,40mA
Ток отсечки коллектора 1mA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 3.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 3V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 10A NPN TO-220-3L одиночные биполярные транзисторы