onsemi SBSP52T1G

onsemi SBSP52T1G

Артикул: C900013 Part Number: SBSP52T1G Производитель: onsemi
от 0.986200 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.026800 ₽
10 шт. 1.008900 ₽
30 шт. 0.997600 ₽
100 шт. 0.986200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Ток коллектора (Ic) 1A
Рассеиваемая мощность (Pd) 800mW
Рабочая температура -65℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 2000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.3V
Ток отсечки коллектора 10uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.9V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

80V 2000 1A NPN SOT-223-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS