onsemi H11B1SR2M

onsemi H11B1SR2M

Артикул: C899447 Part Number: H11B1SR2M Производитель: onsemi
от 0.745800 ₽ В наличии: 82 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.787800 ₽
10 шт. 0.769100 ₽
30 шт. 0.758200 ₽
100 шт. 0.745800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип входа DC
Прямое напряжение (Vf) 1.2V
Тип выхода Darlington Transistor
Количество каналов 1
Напряжение изоляции (В, действующее значение) 4.17kV
Выходной ток 150mA
Напряжение нагрузки 30V
Обратное напряжение 3V
Коэффициент передачи тока 500%;-
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V@1mA,1mA
Время нарастания -
Время спада -
Полная рассеиваемая мощность (Pd) 270mW
Прямой ток (If) 80mA
Особенности Darlington output structure

Описание

150mA 1V@1mA,1mA 30V 3V 1.2V DC SMD-6P оптоизоляторы с транзисторным и фотовольтаическим выходом RoHS