Комплементарный дарлингтона мощность транзистор
Артикул: C89910
Part Number: MJD122G
Производитель: onsemi
от 0.581800 ₽
В наличии: 815 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.145600 ₽ |
| 10 шт. | 0.957100 ₽ |
| 30 шт. | 0.853900 ₽ |
| 75 шт. | 0.657200 ₽ |
| 525 шт. | 0.606400 ₽ |
| 975 шт. | 0.581800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20W |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 4MHz |
Описание
100V 1000 8A NPN TO-252(DPAK) одиночные биполярные транзисторы RoHS