onsemi 2SC3646S-P-TD-E

onsemi 2SC3646S-P-TD-E

Артикул: C898924 Part Number: 2SC3646S-P-TD-E Производитель: onsemi
от 0.078500 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.213900 ₽
200 шт. 0.082800 ₽
500 шт. 0.079900 ₽
1000 шт. 0.078500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 500mW
Ток коллектора (Ic) 1A
Коэффициент усиления по постоянному току 280
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 100mV
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Конфигурация Standalone
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 120MHz

Описание

100V 280 1A NPN 1 NPN TO-243AA одиночные биполярные транзисторы RoHS