Кремний карбид (SiC) MOSFET
Артикул: C898816
Part Number: NVBG040N120SC1
Производитель: onsemi
от 22.497400 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 23.670900 ₽ |
| 30 шт. | 22.497400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 357W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 56mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 106nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.789nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 139pF |
Описание
1.2kV 60A 4.3V 357W 56mΩ 1 N-канальный N-канальный D2PAK-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS