Кремний карбид (SiC) MOSFET - 60 mohm, 900 V
Артикул: C898802
Part Number: NTBG060N090SC1
Производитель: onsemi
от 14.769300 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.227800 ₽ |
| 10 шт. | 14.769300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 900V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 44A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 211W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 84mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 88nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 115pF |
Описание
900V 44A 4.3V 211W 84mΩ 1 N-канальный N-канальный D2PAK-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS