onsemi MJB5742T4G

onsemi MJB5742T4G

Артикул: C898729 Part Number: MJB5742T4G Производитель: onsemi
от 6.045300 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.297100 ₽
10 шт. 6.189900 ₽
30 шт. 6.116800 ₽
100 шт. 6.045300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 400V
Рассеиваемая мощность (Pd) 100W
Ток коллектора (Ic) 8A
Рабочая температура -65℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 200
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3V
Ток отсечки коллектора -
Напряжение эмиттер–база VEBO 8V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 2.5V;3.5V;2.4V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

400V 200 8A NPN D2PAK одиночные биполярные транзисторы RoHS