onsemi HGTP7N60A4-F102
Артикул: C898684
Part Number: HGTP7N60A4-F102
Производитель: onsemi
от 0.621600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.693300 ₽ |
| 200 шт. | 0.654800 ₽ |
| 500 шт. | 0.632600 ₽ |
| 800 шт. | 0.621600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 34A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V |
| Заряд затвора (Qg) | 37nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.9V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 11ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 100ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 55uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 60uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
125W 34A 600V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS