onsemi HGT1S20N60C3S9A
Артикул: C898678
Part Number: HGT1S20N60C3S9A
Производитель: onsemi
от 2.576100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.022800 ₽ |
| 200 шт. | 2.718100 ₽ |
| 500 шт. | 2.622400 ₽ |
| 800 шт. | 2.576100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 164W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.4V;1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 91nC@15V;122nC@20V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 28ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 151ns;280ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 295uJ;500uJ;380uJ;1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 500uJ;1.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
164W 20A 600V TO-263AB одиночные IGBT-транзисторы RoHS