onsemi HGT1S12N60A4DS
Артикул: C898677
Part Number: HGT1S12N60A4DS
Производитель: onsemi
от 3.262900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.898200 ₽ |
| 200 шт. | 3.443500 ₽ |
| 500 шт. | 3.323100 ₽ |
| 800 шт. | 3.262900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 167W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 54A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 78nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.6V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 96ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 55uJ;160uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 50uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 30ns |
Описание
167W 54A 600V TO-263 одиночные IGBT-транзисторы RoHS