onsemi FJB102TM

onsemi FJB102TM

Артикул: C898631 Part Number: FJB102TM Производитель: onsemi
от 1.113600 ₽ В наличии: 50 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.938000 ₽
10 шт. 1.630900 ₽
30 шт. 1.438700 ₽
100 шт. 1.241700 ₽
500 шт. 1.151300 ₽
800 шт. 1.113600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 80W
Ток коллектора (Ic) 8A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.5V
Ток отсечки коллектора 50uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 8A NPN D2PAK одиночные биполярные транзисторы RoHS