onsemi BUB323ZT4G

onsemi BUB323ZT4G

Артикул: C898498 Part Number: BUB323ZT4G Производитель: onsemi
от 1.953100 ₽ В наличии: 32 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.065400 ₽
10 шт. 2.018200 ₽
30 шт. 1.985600 ₽
100 шт. 1.953100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 350V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Ток коллектора (Ic) 10A
Рабочая температура -65℃~+175℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 500
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.7V
Ток отсечки коллектора 100uA
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 2.2V;2.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.1V;2.3V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 2MHz

Описание

350V 500 10A NPN D2PAK одиночные биполярные транзисторы RoHS