Кремний карбид (SiC) MOSFET - EliteSiC, N-канальный
Артикул: C898280
Part Number: NTHL080N120SC1
Производитель: onsemi
от 8.639300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.061900 ₽ |
| 10 шт. | 10.447900 ₽ |
| 30 шт. | 9.463300 ₽ |
| 90 шт. | 8.639300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 31A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 178W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 110mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 56nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.112nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 80pF |
Описание
1.2kV 31A 4.3V 178W 110mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS