SiC мощность N-канальный MOSFET

SiC мощность N-канальный MOSFET

Артикул: C898279 Part Number: NTHL060N090SC1 Производитель: onsemi
от 9.341700 ₽ В наличии: 15 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 13.043000 ₽
10 шт. 11.298800 ₽
30 шт. 10.234200 ₽
90 шт. 9.341700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 900V
Непрерывный ток стока (Id) 46A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 221W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.3V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 84mΩ
Заряд затвора (Qg) 87nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.77nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 11pF
Выходная ёмкость (Coss) 113pF

Описание

900V 46A 4.3V 221W 84mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS