Кремний карбид (SiC) MOSFET
Артикул: C898276
Part Number: NTH4L160N120SC1
Производитель: onsemi
от 8.017200 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.490900 ₽ |
| 10 шт. | 8.287300 ₽ |
| 30 шт. | 8.153000 ₽ |
| 100 шт. | 8.017200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 111W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 224mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 34nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 665pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 49.5pF |
Описание
1.2kV 17.3A 4.3V 111W 224mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS