onsemi FGY75T120SQDN
Артикул: C898206
Part Number: FGY75T120SQDN
Производитель: onsemi
от 4.061000 ₽
В наличии: 140 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.773600 ₽ |
| 10 шт. | 4.965600 ₽ |
| 30 шт. | 4.474000 ₽ |
| 100 шт. | 4.061000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 790W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.95V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 399nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@0.4mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 9.06nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 242pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 137pF |
| Время задержки включения Td(on) | 64ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 332ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 6.25mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.96mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 99ns |
Описание
790W 150A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS