1200V, 40A ограничение поля траншейный IGBT
Артикул: C898205
Part Number: FGY40T120SMD
Производитель: onsemi
от 16.160200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 20.054400 ₽ |
| 10 шт. | 18.218600 ₽ |
| 30 шт. | 17.099200 ₽ |
| 90 шт. | 16.160200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 882W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 370nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.9V@40mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 180pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 100pF |
| Время задержки включения Td(on) | 40ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 475ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.7mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 65ns |
Описание
882W 80A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS