Ограничение поля траншейный IGBT с мягкий быстрый восстановление диод

Ограничение поля траншейный IGBT с мягкий быстрый восстановление диод

Артикул: C898204 Part Number: FGY120T65SPD-F085 Производитель: onsemi
от 17.390000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 20.338700 ₽
10 шт. 19.643400 ₽
40 шт. 18.439500 ₽
100 шт. 17.390000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 882W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 240A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.85V@120A,15V
Заряд затвора (Qg) 162nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.2V@120mA
Входная ёмкость (Cies) 6.81nF
Выходная ёмкость (Coes) 440pF
Проходная ёмкость (Cres) 50pF
Время задержки включения Td(on) 53ns
Время задержки выключения Td(off) 102ns
Энергия потерь при включении (Eon) 6.8mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 3.5mJ
Время обратного восстановления (trr) 123ns

Описание

882W 240A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS