IGBT - ограничение поля, траншейный 650 V, 50 A
Артикул: C898203
Part Number: FGHL50T65SQDT
Производитель: onsemi
от 6.272700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.388000 ₽ |
| 10 шт. | 7.574000 ₽ |
| 30 шт. | 7.089900 ₽ |
| 90 шт. | 6.600900 ₽ |
| 450 шт. | 6.375100 ₽ |
| 900 шт. | 6.272700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 268W;134W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A;50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 250uA |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.47V |
| Заряд затвора (Qg) | 99.7nC@400V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.081nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 136pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 10.8pF |
| Время задержки включения Td(on) | 22.8ns;23.6ns;25.6ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 70ns;66.4ns;87ns;78ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 223uJ;515.6uJ;259.2uJ;578.9uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 91.13uJ;133uJ;221uJ;406.8uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 36.6ns;201ns |
Описание
650V FS (ограничение поля) TO-247-3LD одиночные IGBT-транзисторы RoHS