Ограничение поля траншейный IGBT 650 V, 40 A

Ограничение поля траншейный IGBT 650 V, 40 A

Артикул: C898201 Part Number: FGHL40T65MQD Производитель: onsemi
от 4.557100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.118400 ₽
10 шт. 5.517300 ₽
30 шт. 5.159900 ₽
90 шт. 4.799200 ₽
510 шт. 4.631900 ₽
990 шт. 4.557100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 238W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 80A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Заряд затвора (Qg) 86nC@15V
Рабочая температура -55℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.8V@40A,15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3V@40mA
Входная ёмкость (Cies) 2.756nF
Выходная ёмкость (Coes) 64pF
Проходная ёмкость (Cres) 9pF
Время задержки включения Td(on) 20ns
Время задержки выключения Td(off) 109ns
Энергия потерь при включении (Eon) 330uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 260uJ
Время обратного восстановления (trr) 33ns

Описание

238W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3L одиночные IGBT-транзисторы RoHS