IGBT - ограничение поля, траншейный 650 V, 75 A

IGBT - ограничение поля, траншейный 650 V, 75 A

Артикул: C898195 Part Number: FGH75T65SHDTL4 Производитель: onsemi
от 2.453300 ₽ В наличии: 726 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.854900 ₽
10 шт. 2.700800 ₽
30 шт. 2.607400 ₽
100 шт. 2.515600 ₽
450 шт. 2.471400 ₽
900 шт. 2.453300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 455W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 150A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.1V@75A,15V
Заряд затвора (Qg) 126nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4V@75mA
Входная ёмкость (Cies) 3.71nF
Выходная ёмкость (Coes) 183pF
Проходная ёмкость (Cres) 43pF
Время задержки включения Td(on) 48ns
Время задержки выключения Td(off) 189ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.06mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.81mJ
Время обратного восстановления (trr) 76ns

Описание

455W 150A 650V FS (ограничение поля) TO-247-4LD одиночные IGBT-транзисторы RoHS