IGBT 650V 80A TO-3PN
Артикул: C898159
Part Number: FGA40T65SHD
Производитель: onsemi
от 5.583900 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.916100 ₽ |
| 10 шт. | 6.402700 ₽ |
| 30 шт. | 6.097300 ₽ |
| 90 шт. | 5.788600 ₽ |
| 510 шт. | 5.647200 ₽ |
| 990 шт. | 5.583900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 268W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 72.2nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.5V@40mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.995nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 70pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 23pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19.2ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 65.6ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.01mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 297uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 31.8ns |
Описание
IGBT FS (ограничение поля) 650V 80A 268W монтаж в отверстия TO-3PN