onsemi FGA30N65SMD
Артикул: C898156
Part Number: FGA30N65SMD
Производитель: onsemi
от 1.859900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.070300 ₽ |
| 200 шт. | 1.963300 ₽ |
| 450 шт. | 1.893900 ₽ |
| 900 шт. | 1.859900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.98V |
| Заряд затвора (Qg) | 87nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.35nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 130pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 45pF |
| Время задержки включения Td(on) | 14ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 102ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 716uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 208uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 35ns |
Описание
300W 30A 650V FS (ограничение поля) TO-3PN-3 одиночные IGBT-транзисторы