Сильноточный комплементарный кремний транзисторы
Артикул: C897831
Part Number: MJ11015G
Производитель: onsemi
от 13.853200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 17.190200 ₽ |
| 10 шт. | 15.615900 ₽ |
| 30 шт. | 14.657400 ₽ |
| 100 шт. | 13.853200 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 120V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 3.5V;5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 4MHz |
Описание
120V 1000 30A PNP TO-204(TO-3) одиночные биполярные транзисторы RoHS