onsemi MJ11012G
Артикул: C897830
Part Number: MJ11012G
Производитель: onsemi
от 2.056100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.605500 ₽ |
| 200 шт. | 2.169600 ₽ |
| 500 шт. | 2.093400 ₽ |
| 1000 шт. | 2.056100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 60V |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 3.5V;5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 4MHz |
Описание
60V 1000 30A NPN TO-204-2 одиночные биполярные транзисторы RoHS